• XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Richard
    „XIWUER jest bardzo innowacyjny. Zapewnili doskonałą, intuicyjną obsługę, patrząc w przyszłość, czego możemy potrzebować”.
  • XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Mikrofon
    „Zaangażowanie XIWUER w projektowanie różnych specyfikacji, aby spełnić nasze rygorystyczne wymagania dotyczące przetwarzania, jest świadectwem naszych lat badań i rozwoju”.
  • XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Ożenić
    "XIWUER ma imponujące możliwości badawcze i wykazuje dobre możliwości prototypowania oraz wysoką jakość produktu."
Osoba kontaktowa : Wang Hong

Low Dissipation High Voltage Doorknob Capacitor with High Withstanding Voltage and Insulation Resistance for RF Power Supply

Miejsce pochodzenia XIAN, SHANNXI CHINY
Nazwa handlowa XIWUER
Orzecznictwo ISO9001,ISO14001,OHSAS18001
Numer modelu CT8-1-40KV-150PF
Minimalne zamówienie 1 kawałek
Cena negocjowalne
Szczegóły pakowania Karton
Czas dostawy 10-15 dni
Zasady płatności L/C, T/T.
Możliwość Supply 4 000 000 sztuk rocznie

Skontaktuj się ze mną, aby uzyskać bezpłatne próbki i kupony.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.

x
Szczegóły Produktu
Podkreślić

Low Dissipation High Voltage Doorknob Capacitor

,

High Withstanding Voltage RF Power Supply Capacitor

,

High Insulation Resistance HV Doorknob Capacitor

Zostaw wiadomość
opis produktu
High Voltage Doorknob Capacitors for RF Power Supply
Technical Specifications
No. Specification Dissipation Withstanding Voltage Insulation Resistance Dimensions (mm)
1 20kV-2000pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5
2 20kV-10000pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:65 | H:15 | L:19 | D:12 | M:5
3 20kV-18000pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:80 | H:17 | L:25 | D:12 | M:5
4 30kV-1000pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:45 | H:24 | L:32 | D:12 | M:4
5 30kV-2700pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:60 | H:20 | L:28 | D:12 | M:4
6 30kV-12000pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5
7 40kV-150pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:74 | H:18 | L:26 | D:12 | M:5
8 40kV-500pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:28 | H:33 | L:41 | D:8 | M:4
9 40kV-7500pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:80 | H:24 | L:29 | D:12 | M:6
10 40kV-10000pF ≤0.0040 1.5Ur● 1min ≥1.0 x 105 D:80 | H:22 | L:26 | D:16 | M:5
Application in PECVD Equipment
Our high-voltage doorknob capacitors provide stable high voltage for Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) equipment, essential for semiconductor, photovoltaic, and optical coating industries. These capacitors enable low-temperature deposition of high-quality thin films by maintaining stable, uniform plasma through efficient RF power supply performance.
Technical Challenges Addressed
  • Impedance Matching: Efficient power coupling to dynamically changing plasma loads
  • High RF Power Handling: Withstands electrical stresses from high frequency and voltage
  • Thermal Management: Minimizes heat accumulation from dielectric and electrode losses
  • Long-term Stability: Prevents capacitance drift that affects deposition rate and film quality
Solution: High-Q, Low-ESR Doorknob Capacitors
  • Efficient Power Transfer: Low ESR minimizes heat generation with high RF currents
  • Thermal Stability: Temperature-compensated ceramic dielectric maintains stable capacitance
  • High Reliability: Rugged construction ensures long service life in demanding RF conditions
Customer Benefits
  • Improved film quality and consistency through stable impedance matching
  • Increased productivity and yield with reduced process interruptions
  • Lower operating costs from reduced energy consumption and maintenance
Our high-voltage doorknob capacitors serve as the "impedance harmonizer" for PECVD equipment, enabling precise atomic-level deposition for superior thin film production.